H83 化合物半导体材料 标准查询与下载



共找到 70 条与 化合物半导体材料 相关的标准,共 5

General specification for epitaxial wafers and substrates based on gallium nitride

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2018-12-28 00:00:00.0
实施
2019-07-01 00:00:00.0

Polycrystalline indium phosphide

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2018-09-17 00:00:00.0
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Monocrystalline gallium arsenide polished wafers for solar cell

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2017-12-29 00:00:00.0
实施
2018-07-01 00:00:00.0

Epitaxial wafers of germanium based Ⅲ-Ⅴcompounds for solar cell

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2017-12-29 00:00:00.0
实施
2018-07-01 00:00:00.0

本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。

Polished monocrystalline silicon carbide wafers

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-12-31
实施
2015-09-01

本标准规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书以及订货单(或合同)内容。本标准适用于以粗三氯氢硅为原料经过提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。

Trichlorosilane for silicon epitaxial

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-12-31
实施
2015-09-01

本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单(或合同)内容。本标准适用于蓝宝石单晶晶锭,产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材料(以下简称晶锭)。

Monocrystalline sapphire ingot

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-12-22
实施
2015-09-01

本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。

Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-02-01

本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片(以下简称外延片)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。

Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。

Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers.Chemically etching

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-02-01

本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。

GaAs substrates for LED epitaxial chips

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片。

Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-02-01

本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片(以下简称蓝宝石衬底片)。

Polished mono-crystalline sapphire substrate product

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。

GaP substrates for LED epitaxial chips

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2009-10-30
实施
2010-06-01

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料

Liquid encapsulated czochralski-grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2007-09-11
实施
2008-02-01

本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片,产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。

Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2007-09-11
实施
2008-02-01

本标准规定了砷化镓单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装等。 本标准适用于各种方法生长的砷化镓单晶,产品主要用于光电器件、微波器件、集成电路、传感元件和窗口材料等的制作。

Gallium arsenide single crystal

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2006-04-21
实施
2006-10-01

本标准规定了非掺杂、掺S、掺Te的n型磷化镓单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化镓单晶材料(以下简称单晶)。

Gallium phosphide signle crystal

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2006-04-21
实施
2006-10-01

本标准规定了n型、半绝缘型(Si)、p型磷化铟单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化铟单晶材料(以下简称单晶)。

Indium phosphide signle crystal

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2006-04-21
实施
2006-10-01



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